Strukturierung von Resist

Ätz- und Galvanoresisten strukturieren

Die Strukturierung von Resist umfasst die Bearbeitung von Standard-Resisten, die in den konventionellen fotolithografischen Belichtungsprozessen des Pattern Platings (Semi Additiv Prozess) oder Panel Platings (Subtraktiv Prozess) Verwendung finden, sowie von chemisch Zinn.

Im Panel Plating und in der Zinn Resist Technologie (chemisch Zinn) wird das laserstrukturierte Resist als Ätzresist verwendet, d. h. nach der Strukturierung sind nur die freigelegten Kupferbahnen oder -flächen dem sauren Ätzmedium ausgesetzt. Beim Pattern Plating dient das strukturierte Resist als Galvano-Resist. In den strukturierten Kanälen wächst Kupfer galvanisch auf. Erst nach Aufbringen von galvanisch Zinn und dem Strippen des Resists werden die Kupferflächen amoniakalisch geätzt.

Die Laserstrukturierung eignet sich hervorragend für die Herstellung von Feinstleiterbereichen auf einer HDI-Leiterplatte. Der Großteil der Fläche wird konventionell fotolithografisch hergestellt, kleine Bereiche können wirtschaftlich mit Strukturbreiten und -abständen < 50 µm mit hoher Ausbeute hergestellt werden.