Zinn Resist Technologie

Herstellung von Feinstleitern (50 µm Lines/Spaces) durch Laserstrukturierung von chemisch Zinn

Die Zinnresiststrukturierung eignet sich hervorragend für die Herstellung von Feinstleiterbereichen auf HDI-Multilayern. Das vollständig verkupferte Basismaterial wird zunächst chemisch mit einer homogenen Zinnoberfläche beschichtet.  Anschließend wird das Zinnresist im Bereich des gewünschten Ätzangriffs vom Laser entfernt.

Vorteile der Laserstrukturierung

• keine Fotolithografie
• Reduzierung von Technologieschritten
• Feinstleiterbereiche mit < 50 µm Lines and Spaces möglich
• effiziente Verringerung der Paddurchmesser sowie Leiterbahnabstände und -breiten
• optimal geeignet für kleine Bereiche mit hoher Integrationsdichte, d. h. große Bereiche werden konventionell fotolithografisch, kleine Bereiche hoher Integrationsdichte mittels Laserstrukturierung hergestellt
• automatische Korrektur von Position und prozessbedingten Materialverzügen durch Registrierung der Passermarken der Innen- oder Außenlage und Online-Skalierung
• kompatibel mit Standard-Plating und Ätzprozessen
• Strukturierung direkt auf Basis von CAD-Daten